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心智观察所:中重稀土出口管制,事关光刻机产业对决
【文/观察者网专栏作者 心智观察所】
不久前,国家商务部、海关总署联合发布公告,决定对部分中重稀土相关物项实施出口管制,包括钐、钆、铽、镝、镥、钪、钇的合金、化合物、氧化物等相关物项出口,必须根据相关法规向商务部申请许可证。
消息一出,相关物项的国际市场价格应声暴涨,专业人士甚至预期后续将会有500%乃至更大幅度的涨价。
正如心智观察所第一时间进行的分析,此举将会对全球供应链产生战略性影响,尤其是对高度依赖这7种稀土材料的高性能磁体、光电材料及其下游国防军工、医疗设备等关键应用领域。
许多人或许还没有意识到的是,此次出招,对光刻机产业制高点的角逐也将带来巨大影响。
众所周知,EUV光刻机已然成为美国对华科技遏制的最关键抓手,一谈起EUV,就会有各种奇奇怪怪的失败主义论调横行于国内舆论场,以各种看似扎实的数据言之凿凿论证中国无望追赶。
然而且不说新型举国体制正在EUV技术攻坚中凝聚起的力量,单从对手的需求看,在美国管辖长臂试图“锁死”中国光刻机发展上限的同时,美西方自身想要将光刻技术继续向前推进,同样极大受制于中国稀土材料供给。
根据目前ASML发布的产品路线图,其现有EUV产品体系沿着数值孔径和工艺因子优化的路径,预计可迭代到2030年代初期的0.75NA HXE系列,此时就将到达现有技术体系的分辨率极限,2035年后,超越现有架构的“BEUV”(Beyond EUV)光刻机将取代其王者地位。
目前,海外已经相继铺开了BEUV关键技术研究,如去年底美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)就公开了可作为光刻机驱动激光的大孔径铥 (BAT) 激光器,并将牵头组建极端光刻与材料创新中心(ELMIC)。
ELMIC是一项为期四年、耗资1200万美元的研究项目,将测试BAT激光器能否将EUV光源效率提高约10倍,有望催生下一代BEUV光刻系统,该项目成员还包括ASML首席EUV光源专家Michael Purvis。
对于BEUV,目前还有多条光源技术路线正在被研究,包括中国已走在全球前沿的自由电子激光(FEL)、稳态微聚束(SSMB)加速器等,不过最新版IRDS光刻路线图中也坦言,替代方案的最大挑战是缺乏产业生态,因此“向公用事业规模光源架构的必要范式转变具有足够的颠覆性,需要就其开发和相关的生态系统/基础设施变革达成广泛共识”。
基于这一背景,业界对于开发短波长(6.X纳米)的激光等离子体光源给予了高度重视,有很大概率成为优选技术路线,原因不仅是其技术原理与当前EUV光刻机有较高继承性,且多层镜组成的反射式光学系统在6.X纳米波长下理论反射率可高达70%。
标签 心智观察所- 原标题:中重稀土出口管制,事关光刻机产业对决 本文仅代表作者个人观点。
- 责任编辑: 李昊 
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