据微信公号“芯师爷”（ID：gsi24-xinshiye）12月25日消息，经过两年多的涨价潮，DRAM的风光不再，10月份调研报告显示DRAM内存现货价格跌了10%。今年第四季DRAM价格正式反转向下，11月合约价甚至出现二次下跌的状况，预计2019年第一季DRAM合约价跌幅将持续扩大。

根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）的分析，2018年NAND Flash供应商3D 64层产品良率稳定，产出高于预期。由于淡季影响，加上市场库存水位仍高，供过于求的情况只会更加显着，预估第一季NAND Flash合约价将再进一步走跌，跌幅约10%。

事实上，从今年第1季度以来，NAND Flash价格就止不住下滑了，其第3季度行业产值仅为170亿美元，环比只增长了4.4%，NAND闪存价格却降了10-15%。

三星/SK海力士/美光纷纷减产

12月24日，根据韩国媒体报道，三星电子第4季营运表现恐不如预期，将较去年同期呈现下滑。韩国当地分析师预期，截至12月底的一季，韩国科技巨头三星电子的营业利润为13.9万亿韩元 (123亿美元 )，去年同期为15.1万亿韩元（133.6亿美元），降幅为7.6%。三星电子第3季的营业利润为17.57万亿韩元（155.5亿美元）。

SEMI预计，与今年相比，韩国半导体公司的资本支出明年将减少34.7%。根据最新报告，明年内存芯片制造商的资本支出预计将下降19%，而不是此前预测的增长3%。DRAM方面预计下降23%，NAND Flash方面预计下降13%。三星电子可能会减少对平泽的P1和P2设施以及华城的S3的投资。

另一边，SK海力士在此前的2018Q3财报会议上亦表示，将调整在2019年第1季末开始量产NAND Flash快闪存储器的M15工厂产能，以降低SK海力士对DRAM的依赖。而位于无锡的C2工厂，也将把原来2y(20nm)和2z(20nm)的DRAM生产制程，优化成1xnm(10nm后期)的产品，以降低生产成本，并将在2019年第2季量产。至于，以生产NAND Flash快闪存储器为主的M11工厂，则将把2D NAND Flash转换为生产3D NAND Flash，也是因为就生产成本来进行的考量。

除了三星本季营运表现不如预期，美光财年第1季财报表现也堪忧，在DRAM与NAND Flash产品销售同步衰退下，季营收滑落至79.13亿美元，毛利率59%，每股纯益2.97美元。

美光宣布将调降明年资本支出，缩减12.5亿美元降至95亿美元，因应市场需求减少下，减少芯片的产量，三大存储器大厂拉响警报，存储器产业前景蒙上阴霾。

面对存储器产业低迷，三大厂商除了采取减产措施以外，还在积极拓展其他业务。三星方面，积极研发新存储技术，比如MRAM；同时还加大了对车轨MLCC的生产。SK海力士方面，正在加大晶圆代工业务，比如11月增资1000万美元无锡晶圆代工厂。美光方面，为了应对产业低迷的状况，以15亿美元收购英特尔股份并全资控股IF Flash，继续研发3-D XPoint技术。

除以上三大厂商外，其他存储厂商也都会受到波及，比如中国大陆的紫光存储。

紫光/群联报团取暖

在全球存储器产业表现低迷之时，12月24日，群联电子与紫光存储科技有限公司在北京签署战略合作协定，将在存储产品供应链、产品设计、代工生产等领域全面深化合作，建立密切的合作伙伴关系，充分发挥各自行业优势，促进双方业务发展和产品延伸，实现生态共赢。

紫光集团旗下长江存储和武汉新芯的快速崛起，将成为大陆首家最快量产64层3D储型快闪存储（ NAND Flash）指标厂。从今年长江存储正式产出38层的3D NAND Flash开始，紫光集团就入股多家快闪存储控制芯片公司，一度传出群联也在收购名单之列，但双方价格一直没谈妥，不过群联也支持长江存储的芯片，协助进行测试，进而导入在IC芯片卡应用。

群联这次和紫光存储签署战略合作协议，就是看好大陆全力发展自主存储产业的商机。根据这次的协议，双方将深化开展生产、销售存储产品与服务层面的合作，打造完整、高效的商业链条，着力联合开发创新存储产品，协作开拓全球市场。

群联董事长潘健成坦言，透过双方合作，可全面发挥资源和能力互补优势，打造共赢的业务生态。

供应链指出，紫光集团明年将正式跨入NAND Flash产业，且明年下半年就能进入到64层的3D NAND量产，脚步相当迅速，由于NAND Flash必须搭配控制IC才能使用，因此紫光集团的新产能就成为群联抢先合作的目标。

南亚科/华邦电面临冲击

台厂在这一波存储器产业面临衰退的情况中，恐将面临严格的冲击，南亚科11月合并营收12.07亿元，月减19.7%，创13个月来单月营收新低，累计前十一个月合并营收178.5亿元；因DRAM出货量及价格下滑，南亚科调整第4季单季销售量，将较上季减少约15%，无法达成原预期的持平目标。

华邦电11月合并营收8.98亿元，月减3.22%，年减10.12%，创9个月新低；旺宏11月合并营收6.8亿元，创7月以来低点，月减21.8% ，年减7.4%。

研调机构看淡存储器产业，集邦科技预估，第4季DRAM价格跌幅超乎预期， 平均售价下跌近8%，明年第1季DRAM合约价格跌幅扩大，预估将达10%以上， NAND Flash价格也是下跌。

面对价格下跌及需求趋缓的双重隐忧，业内人士担忧台厂相关存储器厂的营运恐将面临更大的压力，从南亚科、华邦电及旺宏11月营收表现来看，第4季到明年首季，可能面临相当大的挑战。

存储器产业低迷，你怎么看？

DRAM内存降价已是必然，内存大厂也纷纷消减明年DRAM产能。不过这内存涨的时候猛涨不止，降价的势头也同样比预期更狠。与此同时，NAND Flash产能超出预期，以致市场供过于求，价格连续走跌。

南亚科总经理李培瑛表示，明年DRAM需求仍不悲观，供应商端也理性控制产出，不认为明年在报价上会有剧烈的波动，中美贸易战之国际局势将是影响市场的最大关键因素。

李培瑛分析，全球电子产品走向智能化，存储器是最关键的零组件，需求面没有太悲观。供给方面，DRAM供应商现在变得比较理性。预期明年虽有季节性变化，尚不会有急剧跌价的问题，明年DRAM价格预计出现合理的调整，估计会持续缓跌一季或者二季。

十铨科技总理理陈庆文表示，目前看DRAM、NAND Flash明年价格将双双跌价，价格跌幅都恐达三成，预计明年上半年价格跌势较为明显，明年第三季起，随着5G带动服务器需求，产业有机会触底反弹，明年下半年价格有机会逐步止跌。

陈庆文指出，当下要维持营运成长的确具有挑战性，但往往跌势之际是危机也是契机，看好因为价格下跌将刺激需求爆发，尤其SSD的单位价格将快速与传统硬盘拉近，最快明年下半年将出现黄金交叉，SSD的需求正式超越传统硬盘，预期明年第三季度，随着QLC NAND Flash良率稳定之后，供应量将会明显提升，届时对于市场的价格也会带来影响。

威刚董事长陈立白曾表示，明年DRAM因主要芯片制造商增产有限，价格仍会持稳;NAND Flash受各大厂军备竞赛未歇，预料价格跌幅不亚于今年，预期NAND Flash上游厂明年有一半以上无法赚钱。

还有业内人士认为，虽然存储器价格下滑趋势确立，但预估此次下滑趋势应不超过 18 个月，英特尔 14 nm x86 CPU 短缺状况应会于2019年中之前改善，10 nm x86 CPU 应于2019年下半年量产， AMD 7 nm x86 CPU, 7 nm挖矿机及智慧手机，5G 手机都将于2019年出笼取代中低阶机种及对存储器半导体产生正面影响。因此预估大多数的存储器半导体公司会面对营业利润率从近50%的高档下滑，但却不至于步入亏损。

对于国内企业而言，面临的处境更加严峻。随着存储器产业周期调整，中国厂商将有可能错失这一波市场机遇。加之存储器市场竞争愈发激烈，前期如果没有价格优势，国内厂商很难实现快速抢占市场份额。针对这种情况，国内厂商也在尝试不同的产品形态，如紫光的隐式指纹安全U盘、武汉新芯的特种工艺等。