韩国SK海力士宣布成功研发176层4D NAND闪存

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韩国SK海力士宣布成功研发176层4D NAND闪存

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2020-12-07 15:10:32 字号：A- A A+ 来源：观察者网

最后更新: 2020-12-07 15:30:41

（观察者网讯）12月7日，韩国半导体公司SK海力士表示，近期已成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb（千兆位）NAND闪存。

据韩联社12月7日报道，SK海力士介绍，第三代4D NAND闪存达到业界最高水平，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，增强了产品成本竞争力。另外，SK海力士新产品的读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6Gb，提高了33%。

上月，SK海力士于向控制器企业提供了NAND样品，计划明年6月左右批量生产，并依次推出消费者级SSD、企业级SSD等产品，扩大各应用领域的市场。另一方面，韩国的三星电子也正在研发第七代V-NAND，预计明年批量生产。
标签 NAND 闪存
- 责任编辑: 连政
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