据CINNO Research 对第二季度存储产业研究报告显示，在NOR Flash领域长久以来位居第五位的兆易创新，超越美光在史上首度站上第四名的位置，创下中国存储产业的新里程碑。

这是同属于兆易创新和国内存储产业的高光时刻。

NOR Flash营收劲升45%

毕竟，兆易创新是从存储即NOR Flash开始“起家”的，存储既是其成长壮大的基石，也是未来布局的倚重。

根据CINNO Research的数据，在第二季度中兆易创新NOR Flash业绩攀升，环比劲升45%营收增至7700万美元。CINNO Research分析说，这一增速是所有厂商中最高的。

这一切既是大势使然，亦是其布局多年之后技术与产品不断精进的印证。

从市场需求来看，兆易创新代理总经理何卫分析，可穿戴产品尤其是以TWS耳机为代表的产品在今年爆发式增长，成为NOR Flash市场增量的主要驱动力之一。此外，随着更多的手机中开始配置串行NOR Flash，尤其是智能手机的AMOLED显示器，手机应用市场亦快速发展。同时，loT、工控应用等新兴领域也为NOR Flash带来了新的增长点。

在产品层面，兆易创新经过多年鏖战，在闪存领域已 “多点开花”，可提供从512Kb至512Mb全部容量的NOR Flash以及1Gb至8Gb容量的NAND Flash，电压涵盖1.8V、2.5V、3.3V以及宽电压产品，并以高性能、低功耗、高可靠性、高安全性不断“武装”，从而具备显著的“弹药”优势。

针对不同的市场需求，兆易创新“有的放矢”：对物联网、可穿戴、消费类推出业界最小封装1.5mm x 1.5mm USON8 低功耗宽电压产品线；针对高性能应用领域推出了国内首颗符合 JEDEC 规范的8通道SPI产品；针对工控、汽车电子等高可靠性及高性能领域推出256Mb、512Mb 等产品；依据 AEC-Q100 标准认证了 GD25 全系列产品，是目前唯一的全国产化车规闪存产品。步步为营的战略布局，也让兆易创新接连告捷，在今年第二季度创造了国内存储器新的“荣光”。

至此兆易创新NOR Flash累计出货量已经超过100 亿颗，这是历史性的高点，亦是全新的起点。

在NOR Flash市场上的成功“晋升”为兆易创新未来的发展注入了全新的动能，随着电子产品功能的提升，系统代码存储对更高容量的闪存需求上涨，兆易创新也在积极开拓SLC NAND市场，从而为客户提供更加完善的存储方案。

据何卫介绍，SLC NAND的主流工艺结点在 50nm-19nm，兆易创新高可靠性的 38nm SLC 制程产品已稳定量产，NAND容量从1Gb至8Gb 覆盖主流容量类型，电压涵盖1.8V和3.3V，可提供传统并行接口和新型 SPI 接口两个产品系列，已具备业界领先的高性能、高可靠性。

未来“线面全开”

如今的存储业已然到了“变革”的前夜。中美科技大战将成持久战，国内长江存储、合肥长鑫等在集结发力，长江存储更是已重磅宣布量产基于Xtacking架构的64层256 Gb 3D NAND。而合肥长鑫作为国家战略型存储器公司之一，DRAM项目量产在即，这对于IC国产化而言将会是重大的机遇，而兆易创新不仅通过合肥长鑫切入到DRAM存储领域，同时也在积极布局DRAM相关产品，与合肥长鑫形成良好的协同和互补。

今年4 月26 日，兆易创新就与合肥产投、合肥长鑫集成电路有限责任公司签署《可转股债权投资协议》，约定以可转股债权方式投资 3 亿元，并继续研究商讨后续出资方案。

可以说，兆易创新凭借多年在消费类、工业以及汽车电子积累的深厚技术和市场渠道，在存储领域已然完成了从NOR Flash、NAND Flash和DARM的“线面”整合，走向全面出击。

而市场也在承接新一轮利好。展望第三季与下半年的存储产业趋势，CINNO Research半导体首席分析师杨文得认为，DRAM、NAND Flash与NOR Flash将比上半年表现更为稳健。因此第三季度与下半年的存储器无论是在价格以及位出货量的表现上都将比上半年更为稳健，存储器厂商的运营压力也可望获得纾解。

而兆易创新已胸有丘壑。何卫介绍，在NOR Flash领域正在进行55nm开发，进展顺利，预期将在今年第四季度进行量产。同时，兆易创新将以此为基础，密切关注市场热点应用的迅速发展，定义更加符合客户需求的新一代产品。

在存储器业的“跃变”也为兆易创新创造了新的支点。而在确定了存储、MCU和传感器“三驾马车”的布局之后，兆易创新的“马力”在不断提升。继8月22日率先将开源指令集架构RISC-V引入通用MCU领域推出全球首个基于RISC-V内核的GD32V系列之后，8月27日发布的2019 年半年度财报显示其营收12 亿元，同期增长 8.63%。而如今兆易创新在存储器业再上层楼，跃居全球第四，兆易创新的厚积薄发值得期待。